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MMBT5087

更新时间: 2024-02-11 07:28:51
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
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1页 33K
描述
PNP (LOW NOISE TRANSISTOR)

MMBT5087 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.78其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

MMBT5087 数据手册

  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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