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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5088
MMBT5088 PDF预览

MMBT5088

更新时间： 2024-11-17 22:48:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 214K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT5088 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.23
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

MMBT5088 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
2N5088  
2N5089  
MMBT5088  
MMBT5089  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: 1Q / 1R  
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.  
Sourced from Process 07.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
2N5088  
2N5089  
2N5088  
2N5089  
30  
25  
35  
30  
4.5  
V
V
V
V
V
VCBO  
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
100  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5088  
2N5089  
*MMBT5088  
*MMBT5089  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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MMBT5088 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5088 ONSEMI

类似代替

 NPN 通用放大器
MMBT6429LT1G ONSEMI

功能相似

 Amplifier Transistors NPN Silicon

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5088/L99Z TI

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MMBT5088_10 UTC

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 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT5088D87Z FAIRCHILD

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MMBT5088G-AE3-R UTC

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