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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5088L | MOTOROLA |
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Transistor |
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| MMBT5088L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| MMBT5088L-AE3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| MMBT5088LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Low Noise Transistors |
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| MMBT5088LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Low Noise Transistors |
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| MMBT5088LT1 | LRC |
获取价格 |
Low Noise Transistors(NPN Silicon) |
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| MMBT5088LT1 | DBLECTRO |
获取价格 |
Transistor |
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| MMBT5088LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Low Noise Transistors NPN Silicon |
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| MMBT5088LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
50mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
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| MMBT5088S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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