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MMBT5088

更新时间： 2024-11-18 05:49:19

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2页	43K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT5088 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

NPN General Purpose Amplifier

MMBT5088,MMBT5089

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

NPN general purpose amplifier

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CE0

V^CBO

V^EBO

I^C

MMBT5088

MMBT5089

Unit

4.5

100

150

Junction temperature

Storage temperature

T^j

-55 to +150

Tstg

Total device dissipation

Derate above 25

625

5.0

350

2.8

mW/

Thermal resistance, junction to case

Thermal resistance, junction to ambient

RèJC

83.3

200

R^èJA

357

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MMBT5088D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBT5088G-AE3-R	UTC	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
MMBT5088L	MOTOROLA	获取价格	Transistor
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