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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC20T120LE_15 | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip |
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| SIGC223T120R2CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC223T120R2CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CL | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CLUNSAWNX6SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC25T120CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CS2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T120CX1SA4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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