是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DIE | 包装说明: | UNCASED CHIP, R-XUUC-N |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.59 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 25 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 6.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 610 ns | 标称接通时间 (ton): | 135 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIGC32T120R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SIGC32T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC32T120R3LE | INFINEON |
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暂无描述 | |
SIGC39T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC39T60E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
SIGC39T60S | INFINEON |
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IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient | |
SIGC39T60X1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 5.91 MM, DIE | |
SIGC39T65E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SIGC40T60R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC40T60R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 |