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SIGC32T120R3

更新时间： 2024-10-26 03:32:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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IGBT3 Chip

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SIGC32T120R3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIE	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	135 ns
Base Number Matches：	1

SIGC32T120R3 数据手册

SIGC32T120R3

IGBT³Chip

FEATURES:

1200V Trench + Field Stop technology

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

· power module

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

Die Size

6.5 x 4.87 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-

A4104-A001

SIGC32T120R3

1200V 25A

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

6.5 x 4.87

3.4 x 4.992

1.139 x 1.139

31.6 / 21.5

140

Emitter pad size

Gate pad size

Area total / active

Thickness

mm²

µm

Wafer size

150

grd

Flat position

180

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

454 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7641A, Edition 2, 04.09.2003

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