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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.27 |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.85 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC28T60S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.57 X 4.20 MM, DIE |
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| SIGC28T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC28T60SX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.57 X 4.20 MM, DIE |
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| SIGC28T60X1SA4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.57 X 4.20 MM, DIE |
|
| SIGC28T65E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC32T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC32T120R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC32T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
|
| SIGC32T120R3LE | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SIGC39T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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