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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC25T120CX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T120CX1SA4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T60SN | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T60SNC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technolo |
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| SIGC25T60UN | INFINEON |
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HIGHT SPEED IGBT CHIP IN NPT-TECHNOLOGY |
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| SIGC28T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC28T60E | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT 结合独特 TRENCHSTOP™ 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC28T60S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.57 X 4.20 MM, DIE |
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| SIGC28T60SE | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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