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SIGC39T60E

更新时间： 2024-11-21 12:59:07

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
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4页	79K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SIGC39T60E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SIGC39T60E 数据手册

SIGC39T60

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

600V Trench & Field Stop technology

low V_CE(sat)

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

power module

discrete components

Applications:

drives

Chip Type

SIGC39T60

V_CE

I_Cn

75A

Die Size

Package

sawn on foil

Ordering Code

Q67050-

A4339-A101

600V

6.59 x 5.91 mm²

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

6.59 x 5.91

Emitter pad size

Gate pad size

( 2.774 x 4.104 ) x 2

1.52 x 0.817

38.9 / 30

mm²

Area total / active

Thickness

mm²

µm

Wafer size

150

deg

Flat position

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

348 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD CLS, L7571A, Edition 2, 27.01.2005

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