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SIGC41T120R3E

更新时间： 2024-11-21 20:07:27

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英飞凌 - INFINEON		栅
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5页	117K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC41T120R3E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.58
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SIGC41T120R3E 数据手册

SIGC41T120R3E

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

power module

•

600V Trench & Field Stop technology

•

low turn-off losses

short tail current

Applications:

positive temperature coefficient

easy paralleling

•

drives

Chip Type

SIGC41T120R3E 1200V 35A

V_CE

I_C

Die Size

6.5 x 6.37 mm²

Package

sawn on foil

Mechanical Parameters

Raster size

6.5 x 6.37

Emitter pad size (incl. gate pad)

Gate pad size

4.992 x 4.898

1.139 x 1.139

41.4

mm²

Area total

Thickness

140

µm

Wafer size

200

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Pad metal

640

Photoimide

3200 nm AlSiCu

Ni Ag –system

Backside metal

Die bond

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

0.65mm ; max 1.2mm

Store in original container, in dry nitrogen, in dark

Recommended storage environment

environment, < 6 month at an ambient temperature of 23°C

Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L7651T, Edition 2.2, 06.07.2010

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