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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC40T65R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
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| SIGC41T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC41T120R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC41T120R3L | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC41T120R3LE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC42T120C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC42T120CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC42T120CLUNSAWNX6SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC42T120CLX1SA6 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM2, D |
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| SIGC42T120CQ | INFINEON |
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IGBT Chip in Fieldstop -technology |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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