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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 52 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 最大降落时间（tf）： | 60 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 100 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 465 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 140 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC42T120CL | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T120CLUNSAWNX6SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SIGC42T120CLX1SA6 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM2, D |
|
| SIGC42T120CQ | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in Fieldstop -technology |
|
| SIGC42T120CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T120CS2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T120CX1SA5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM, DI |
|
| SIGC42T170R2C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC42T170R3 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
|
| SIGC42T170R3G | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
|
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