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SIGC28T60SX1SA2

更新时间： 2024-10-26 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	80K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 6.57 X 4.20 MM, DIE-3

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SIGC28T60SX1SA2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-XUUC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	396 ns
标称接通时间 (ton)：	60 ns	Base Number Matches：	1

SIGC28T60SX1SA2 数据手册

SIGC28T60S

IGBT³Chip

FEATURES:

This chip is used for:

600V Trench & Field Stop technology

low V_CE(sat)

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

power module

discrete components

Applications:

drives

white goods

resonant applications

Chip Type

SIGC28T60S

V_CE

I_Cn

50A

Die Size

6.57 x 4.2 mm²

Package

sawn on foil

Ordering Code

Q67050-

A4392-A101

600V

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

6.57 x 4.2

2.166 x 3.401

2.432 x 3.401

mm²

Emitter pad size

Gate pad size

0.817 x 1.52

Area total / active

Thickness

27.6 / 20

mm²

µm

150

Wafer size

deg

Flat position

Max. possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

457 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject ink dot size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended storage environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD CLS, L7561D, Edition 2, 26.01.2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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