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SIGC25T60SN

更新时间： 2024-10-26 20:03:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3

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SIGC25T60SN 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	41 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	70 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	58 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	349 ns	标称接通时间 (ton)：	79 ns
Base Number Matches：	1

SIGC25T60SN 数据手册

Preliminary

SIGC25T60SN

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

600V NPT technology

100µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

SGP30N60

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

30A

Die Size

4.5 x 5.71 mm²

Package

Ordering Code

Q67041-A4667-

A001

SIGC25T60SN

600V

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

4.5 x 5.71

25.70 / 21.4

2x( 2.18x1.58 )

0.68 x 1.08

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

125

Flat position

270

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

381

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

tbd

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 7262-F, Edition 1, 14.03.2000

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