是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.58 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 25 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 346 ns |
标称接通时间 (ton): | 63 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIGC42T120CS | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology | |
SIGC42T120CS2 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology | |
SIGC42T120CX1SA5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6.59 X 6.49 MM, DI | |
SIGC42T170R2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology | |
SIGC42T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC42T170R3G | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC42T170R3G_08 | INFINEON |
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1700V Trench Field Stop technology low turn-off losses short tail current | |
SIGC42T170R3GE | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 | |
SIGC42T170R3GG | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC42T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |