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SIGC25T120C

更新时间： 2024-10-26 03:32:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管双极性晶体管栅
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4页	66K
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IGBT Chip in NPT-technology

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SIGC25T120C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	32 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUUC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	470 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
Base Number Matches：	1

SIGC25T120C 数据手册

SIGC25T120C

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

1200V NPT technology

200µm chip

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

BUP 213

Applications:

drives

Chip Type

SIGC25T120C

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

Ordering Code

C67078-A4674-

A001

1200V 15A

5.71 x 4.53 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

5.71 x 4.53

Emitter pad size

Gate pad size

2 x ( 2.18 x 1.6 )

1.09 x 0.68

25.9 / 18.7

180

Area total / active

Thickness

µm

grd

Wafer size

150

Flat position

270

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

555 pcs

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7141-M, Edition 2, 03.09.2003

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