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| SIGC223T120R2CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC223T120R2CS | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CLUNSAWNX6SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC25T120CS | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CS2 | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC25T120CX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T120CX1SA4 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
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| SIGC25T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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