5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | 14.4 X 15.5 MM, DIE | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 610 ns | 标称接通时间 (ton)： | 100 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC223T120R2CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T120C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T120CL | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T120CLUNSAWNX6SA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SIGC25T120CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T120CS2 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T120CX1SA3 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
|
| SIGC25T120CX1SA4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
|
| SIGC25T60NC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC25T60SN | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-3 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
