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SIGC20T120E

更新时间： 2024-11-21 13:13:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SIGC20T120E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SIGC20T120E 数据手册

SIGC20T120

IGBT³Chip

FEATURES:

1200V Trench + Field Stop technology

low turn-off losses

short tail current

positive temperature coefficient

easy paralleling

This chip is used for:

· power module

Applications:

drives

Chip Type

SIGC20T120

V_CE

I_Cn

Die Size

Package

sawn on foil

Ordering Code

Q67050-

A4103-A001

1200V 15A

4.41 x 4.47 mm²

MECHANICAL PARAMETER:

Raster size

4.41 x 4.47

Emitter pad size

Gate pad size

2.995 x 2.901

1.107 x 0.702

Area total / active

Thickness

19.7 / 12.8

mm²

µm

140

150

Wafer size

grd

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

748 pcs

Photoimide

3200 nm AlSiCu

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, <500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L7631A, Edition 2, 04.09.2003

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