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SIGC18T60UN

更新时间： 2024-10-26 06:11:39

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient

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SIGC18T60UN 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, R-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	100 ns	标称接通时间 (ton)：	23.5 ns
Base Number Matches：	1

SIGC18T60UN 数据手册

SIGC18T60UN

High Speed IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

SGP20N60HS

low Eoff

600V NPT technology

100µm chip

short circuit prove

positive temperature coefficient

easy paralleling

Applications:

Welding

PFC

UPS

Chip Type

V_CE

I_Cn

20A

Die Size

4.3 x 4.3 mm²

Package

Ordering Code

Q67050-A4222-

A101

SIGC18T60UN

600V

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

4.3 x 4.3

18.5 / 14.2

2.986 x 2.486

1.078 x 0.696

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

150

Flat position

270

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metallization

796

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metallization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

Æ 0.65mm ; max 1.2mm

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month at an ambient temperature of 23°C

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7242U, Edition 2, 28.11.2003

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