是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.54 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 11 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 75 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 16 A | 最大漏极电流 (ID): | 7.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.037 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-XDSO-C5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 52 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 25 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7812DN-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7812DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 75-V (D-S) MOSFET | |
SI7815 | SECOS |
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3-Terminal Positive Voltage Regulator | |
SI7818 | SECOS |
获取价格 |
3-Terminal Positive Voltage Regulator | |
SI7818DN | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 150-V (D-S) MOSFET | |
SI7818DN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | |
SI7818DN-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | |
SI7820DN | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI7820DN-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET | |
SI7820DN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | |
SI7824 | SECOS |
获取价格 |
3-Terminal Positive Voltage Regulator |