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SI7818DN-T1-GE3

更新时间： 2024-02-23 11:17:22

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威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	574K
描述
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7818DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.75	雪崩能效等级（Eas）：	4 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A
最大漏极电流 (ID)：	2.2 A	最大漏源导通电阻：	0.135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7818DN-T1-GE3 数据手册

Si7818DN

Vishay Siliconix

www.vishay.com

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

FEATURES

• PWM-optimized TrenchFET^®power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

3.4

Q_g(TYP.)

• 100 % R_gtested

0.135 at V_GS= 10 V

0.142 at V_GS= 6 V

150

20 nC

• Avalanche tested

3.3

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

Available

APPLICATIONS

• Primary side switching circuits

Ordering Information:

Si7818DN-T1-E3 (lead (Pb)-free)

Si7818DN-T1-GE3 (lead (Pb)-free and halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

10 s

STEADY STATE

150

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.4

2.7

2.2

1.7

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C) ^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction) ^a

I_DM

I_S

3.2

1.3

Single Avalanche Current

I_AS

E_AS

L = 0.1 mH

Single Avalanche Energy

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.8

1.5

0.8

Maximum Power Dissipation ^a

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature) ^{b, c}

T_J, T_stg

-55 to +150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

TYPICAL

MAXIMUM

UNIT

t ≤ 10 s

Maximum Junction-to-Ambient ^a

Steady State

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Notes

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

R_thJC

1.9

2.4

b. See reliability manual for profile. The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not plated)

as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to

ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

S15-1540-Rev. E, 29-Jun-15

Document Number: 73252

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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