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SI7820DN-T1-GE3

更新时间： 2024-09-13 19:20:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	533K
描述
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SI7820DN-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.53	雪崩能效等级（Eas）：	0.6 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.7 A
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-XDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI7820DN-T1-GE3 数据手册

Si7820DN

Vishay Siliconix

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

2.6

Q_g(Typ.)

Definition

0.240 at V_GS= 10 V

0.250 at V_GS= 6 V

•

PWM-Optimized TrenchFET^®Power MOSFET

100 % R_gTested

Avalanche Tested

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

200

12.1

2.5

PowerPAK^®1212-8

APPLICATIONS

•

Primary Side Switch

- Telecom Power Supplies

- Distributed Power Architectures

- Miniature Power Modules

3.30 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7820DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7820DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

200

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

2.6

2.1

1.7

1.3

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Single Avalanche Current

3.2

1.3

I_AS

E_AS

3.5

0.6

L = 0 1 mH

Single Avalanche Energy

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

3.8

2.0

1.5

0.8

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t  10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

Steady State

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.9

2.4

Notes:

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed cop-

per (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is

not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72581

S10-2136-Rev. E, 20-Sep-10

www.vishay.com

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