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SI7462DP-E3

更新时间： 2024-11-21 20:03:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 43K
描述
TRANSISTOR 2.6 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7462DP-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：1.8 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7462DP-E3 数据手册

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Si7462DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKt  
PRODUCT SUMMARY  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D PWM Optimized For Fast Switching  
APPLICATIONS  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.130 @ V = 10 V  
GS  
4.1  
3.9  
200  
0.142 @ V = 6.0 V  
GS  
D Primary Side Switch  
PowerPAKt SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
S
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7462DP-T1  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
200  
DS  
GS  
V
V
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
4.1  
3.0  
2.6  
1.9  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
12  
6
DM  
Avalanche Current  
I
AS  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
E
1.8  
mJ  
A
AS  
a
I
4.0  
4.8  
2.6  
1.6  
1.9  
1.0  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
-55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
21  
55  
26  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.7  
2.1  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72136  
www.vishay.com  
S-03533—Rev. A, 24-Mar-03  
1
12345

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与SI7462DP-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7462DP-T1-GE3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7463DP VISHAY

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 		P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7463DP FAIRCHILD

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 		P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7463DP-T1-E3 FAIRCHILD

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 		P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI7463DP-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 40 V, 0.0092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7463DP-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 11 A, 40 V, 0.0092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SI7464DP VISHAY

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 		N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
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 		TRANSISTOR 1.8 A, 200 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
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