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SI7483ADP

更新时间： 2024-01-11 23:14:25

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威世 - VISHAY		/
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5页	57K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7483ADP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7483ADP 数据手册

Si7483ADP

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKr

Package with Low 1.07-mm Profile

D 100% R_gtested

0.0057 @ V = −10 V

−24

−17

−30

0.0095 @ V = −4.5 V

APPLICATIONS

D Battery and Load Switching

− Notebook Computers

− Notebook Battery Packs

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7483ADP-T1—E3

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−30

"20

= 25_C

= 70_C

−14

−11

−24

−19

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−60

continuous Source Current (Diode Conduction)

−4.5

5.4

−1.6

1.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

3.4

1.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

thJC

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 73025

S-41525—Rev. A, 16-Aug-04

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7483ADP-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7483DP	VISHAY	获取价格	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7483DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 14 A, 30 V, 0.005 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Genera
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