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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> SI7485DP-T1
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SI7485DP-T1

更新时间： 2024-02-06 13:41:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI7485DP-T1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.91Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

SI7485DP-T1 数据手册

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Si7485DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
Package with Low 1.07-mm Profile  
0.0073 @ V = -4.5 V  
-20  
-18  
-15  
GS  
-20  
0.0090 @ V = -2.5  
GS  
V
APPLICATIONS  
0.013 @ V = -1.8  
GS  
V
D Battery Switch for Portable Devices  
PowerPAK SO-8  
S
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
G
2
S
3
G
4
D
8
D
7
D
D
6
D
5
P-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7485DP-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
-20  
DS  
V
V
GS  
"8  
T
= 25_C  
= 70_C  
-12.5  
-9.5  
-20  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
-16.5  
A
Pulsed Drain Current  
I
-50  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-4.5  
5
-1.6  
1.8  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
3.2  
1.1  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
20  
54  
25  
68  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.7  
2.2  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72275  
S-31416—Rev. A, 07-Jul-03  
www.vishay.com  
1
 
12345

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SI7485DP-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7485DP-T1-GE3 VISHAY

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