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SI7483DP

更新时间： 2024-09-29 22:43:15

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威世 - VISHAY		/
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6页	128K
描述
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI7483DP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI7483DP 数据手册

Si7483DP

Vishay Siliconix

New Product

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

(V)

(Ω)

I (A)

DS(on)

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

0.005 @ V = --10 V

-- 2 4

-- 1 7

-- 3 0

APPLICATIONS

0.0095 @ V = --4.5 V

D Battery and Load Switching

-- Notebook Computers

-- Notebook Battery Packs

PowerPAKt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-- 3 0

20

= 25_C

= 70_C

-- 1 4

-- 11

-- 2 4

-- 1 9

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

-- 6 0

continuous Source Current (Diode Conduction)

-- 4 . 5

5.4

-- 1 . 6

1.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

3.4

1.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

--55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71940

S-21441—Rev. A, 19-Aug-02

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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