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SI7495DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-21 21:03:55

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
12页	467K
描述
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI7495DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

SI7495DP-T1-E3 数据手册

Si7495DP

Vishay Siliconix

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

- 21

Available

TrenchFET^®Power MOSFET

0.0065 at V_GS= - 4.5 V

0.008 at V_GS= - 2.5 V

0.011 at V_GS= - 1.8V

•

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

- 19

- 12

- 16

APPLICATIONS

•

Load Switch

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information:

Si7495DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7495DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 12

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 21

- 17

- 13

- 10

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

I_DM

I_S

- 50

- 4.5

- 1.6

1.8

T_A= 25 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_A= 70 °C

3.2

1.1

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

T_J, T_stg

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

R_thJC

1.7

2.2

Notes

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed

copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and

is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72277

S09-0268-Rev. C, 16-Feb-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7495DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI-7500	SANKEN	获取价格	5-phase Stepper Motor Star Connection Unipolar Driver IC
SI7500A	ETC	获取价格	Industrial Control IC
SI-7500A	SANKEN	获取价格	5-phase Stepper Motor Star Connection Unipolar Driver IC
SI7501DN	VISHAY	获取价格	Complementary 30-V (D-S) MOSFET
SI7501DN-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.4 A, 30 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8,
SI7501DN-T1-E3	VISHAY	获取价格	Complementary 30-V (D-S) MOSFET
SI-7502	SANKEN	获取价格	5-Phase Stepper Motor Driver ICs
SI-7510	SANKEN	获取价格	New Pentagon Connection
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