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SI7489DP-T1-GE3 PDF预览

SI7489DP-T1-GE3

更新时间： 2024-01-01 15:34:02
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 308K
描述
Trans MOSFET P-CH 100V 7.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7489DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：315 ns最大开启时间（吨）：55 ns
Base Number Matches：1

SI7489DP-T1-GE3 数据手册

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Si7489DP  
Vishay Siliconix  
P-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
- 28  
Available  
0.041 at VGS = - 10 V  
0.047 at VGS = - 4.5 V  
•
TrenchFET® Power MOSFET  
- 100  
54 nC  
- 28  
PowerPAK SO-8  
S
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7489DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
D
P-Channel MOSFET  
Si7489DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 100  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
- 28a  
TC = 25 °C  
- 24.9a  
- 7.8b, c  
- 6.2b, c  
- 40  
- 28a  
- 4.3b, c  
- 35  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Avalanche Current  
IAS  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
EAS  
61  
83  
53  
5.2b, c  
3.3b, c  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
260  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
19  
24  
°C/W  
RthJC  
1.2  
1.5  
Notes:  
a. Package Limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.  
Document Number: 73436  
S09-0271-Rev. C, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7489DP-T1-GE3 替代型号

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SI7489DP-T1-E3 VISHAY

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