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SI7491DP-T1-GE3 PDF预览

SI7491DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 154K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7491DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7491DP-T1-GE3 数据手册

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Si7491DP  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 18  
Available  
TrenchFET® Power MOSFETS  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.0085 at VGS = - 10 V  
0.013 at VGS = - 4.5 V  
•
•
30  
- 14  
APPLICATIONS  
•
Battery and Load Switching  
PowerPAK SO-8  
- Notebook and Tablet Computers  
- Notebook and Tablet Battery Packs  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
S
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
D
Ordering Information:  
Si7491DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7491DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
Parameter  
A
Symbol  
10 s  
Steady State  
- 30  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 18  
- 14  
- 11  
- 8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
- 50  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 4.5  
5
- 1.6  
1.8  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
W
PD  
TA = 70 °C  
3.2  
1.1  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
20  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
25  
68  
Maximum Junction-to-Ambienta  
54  
°C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
1.7  
2.2  
Notes  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72276  
S09-0270-Rev. C, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7491DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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