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SI7487DP-T1

更新时间： 2024-02-26 03:18:20
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET General Purpose Power

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SI7487DP-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.0035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7487DP-T1 数据手册

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Si7487DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETrPower MOSFET  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.0035 @ V = -4.5 V  
-30  
-26  
-21  
GS  
APPLICATIONS  
-20  
0.0045 @ V = -2.5  
V
V
GS  
D Battery Switch for Portable Devices  
0.0065 @ V = -1.8  
GS  
PowerPAK SO-8  
S
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
G
4
D
8
D
7
D
6
D
5
D
Bottom View  
Ordering Information: Si7487DP-T1  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
-20  
DS  
V
"8  
GS  
T
= 25_C  
= 70_C  
-18  
-14  
-30  
-25  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
-60  
DM  
a
continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
-4.5  
5.4  
-1.6  
1.9  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
3.4  
1.2  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
18  
50  
23  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.0  
1.5  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72321  
S-31669—Rev. A, 11-Aug-03  
www.vishay.com  
1
 
123456

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