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SI7463DP-T1-GE3

更新时间： 2024-01-12 14:17:48

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	316K
描述
TRANSISTOR 11 A, 40 V, 0.0092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7463DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.67	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.0092 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XDSO-C5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7463DP-T1-GE3 数据手册

Si7463DP

Vishay Siliconix

www.vishay.com

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES

• TrenchFET^®Power MOSFETs

• New low thermal resistance PowerPAK^®

package with low 1.07 mm profile

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

R_DS(on)()

I_D(A)

-18.6

-15

0.0092 at V_GS= -10 V

0.0140 at V_GS= -4.5 V

-40

• Material categorization:

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

PowerPAK SO-8

Available

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

Ordering Information: Si7463DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7463DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

10 s

STEADY STATE

-40

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

-18.6

-15

-11

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

-8.9

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

-60

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

-4.5

5.4

3.4

-1.6

1.9

1.2

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

Maximum Power Dissipation^a

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{b, c}

T_J, T_stg

-55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

R_thJA

TYPICAL

MAXIMUM

UNIT

t  10 s

Maximum Junction-to-Ambient^a

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Steady State

°C/W

R_thJC

1.3

Notes

a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

S13-2282-Rev. G, 04-Nov-13

Document Number: 72440

For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SI7463DP-T1-GE3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI7463DP-T1-E3	VISHAY	完全替代	TRANSISTOR 11 A, 40 V, 0.0092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS,
SI7463DP	VISHAY	功能相似	P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

与SI7463DP-T1-GE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI7464DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP_06	VISHAY	获取价格	N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 1.8 A, 200 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener
SI7464DP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel
SI7465DP	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7465DP_13	VISHAY	获取价格	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI7465DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Si7469ADP	VISHAY	获取价格	P-Channel 80 V (D-S) MOSFET
SI7469DP	VISHAY	获取价格	P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7469DP-T1-E3	VISHAY	获取价格	P-Channel 80-V (D-S) MOSFET

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