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SI7478DP-T1-GE3

更新时间： 2024-02-11 03:23:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 467K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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SI7478DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.75
雪崩能效等级（Eas）：61 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7478DP-T1-GE3 数据手册

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Si7478DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
20  
Available  
TrenchFET® Power MOSFET  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.0075 at VGS = 10 V  
0.0088 at VGS = 4.5 V  
•
•
60  
18.5  
•
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
D
G
4
D
8
D
7
D
G
6
D
5
Bottom View  
Si7478DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
S
Ordering Information:  
N-Channel MOSFET  
Si7478DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
60  
V
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
20  
16  
15  
12  
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
IDM  
IS  
IAS  
EAS  
Pulsed Drain Current  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
4.5  
1.6  
35  
61  
Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
5.4  
3.4  
1.9  
1.2  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b, c  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
18  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
23  
65  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
52  
°C/W  
RthJC  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
1.0  
1.3  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile ( www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 72913  
S09-0271-Rev. D, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI7478DP-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7452DP-T1-E3 VISHAY

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI7138DP-T1-E3 VISHAY

类似代替

 Trans MOSFET N-CH 60V 19.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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