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SI7452DP-T1-E3

更新时间： 2024-02-25 05:43:46

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
6页	93K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI7452DP-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	5.4 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI7452DP-T1-E3 数据手册

Si7452DP

Vishay Siliconix

N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Available

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

I_D(A)

Q_g(Typ.)

0.0083 at V_GS= 10 V

19.3

105

•

TrenchFET^®Power MOSFET

New Low Thermal Resistance PowerPAK^®

Package with Low 1.07 mm Profile

100 % R_gTested

•

High Threshold Voltage At High Temperature

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

Bottom View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si7452DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7452DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

10 s

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_A= 25 °C

_A= 70 °C

19.3

15.5

11.5

9.2

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)^a

I_D

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a

Avalanche Current

I_DM

I_S

4.5

1.6

I_AS

E_AS

Avalanche Energy

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

5.4

3.4

1.9

1.2

Maximum Power Dissipation^a

P_D

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^b,c

- 55 to 150

260

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient^a

R_thJA

°C/W

R_thJC

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.3

Notes:

a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

Document Number: 72972

S09-0273-Rev. D, 16-Feb-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI7454DDP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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