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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI7456DP-T1
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SI7456DP-T1

更新时间： 2024-01-04 20:47:46
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

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SI7456DP-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.31
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5.2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI7456DP-T1 数据手册

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Si7456DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFETS  
D New Low Thermal Resistance PowerPAKr  
Package with Low 1.07-mm Profile  
D PWM Optimized for Fast Switching  
D 100% Rg Tested  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.025 @ V = 10 V  
9.3  
8.8  
GS  
100  
APPLICATIONS  
0.028 @ V = 6.0 V  
GS  
D Primary Side Switch for High Density DC/DC  
D Telecom/Server 48-V, Full-/Half-Bridge DC/DC  
D Industrial and 42-V Automotive  
PowerPAK SO-8  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
G
D
8
D
7
D
6
S
D
5
N-Channel MOSFET  
Bottom View  
Ordering Information: Si7456DP-T1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
100  
DS  
V
V
GS  
"20  
T
= 25_C  
= 85_C  
9.3  
6.7  
5.7  
4.1  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
30  
45  
DM  
Avalanche Current  
I
AS  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle v1%)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
E
AS  
mJ  
A
a
I
S
4.3  
5.2  
2.7  
1.6  
1.9  
1.0  
T
A
= 25_C  
= 85_C  
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
19  
52  
24  
65  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
R
thJC  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case  
1.5  
1.8  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 71603  
S-31989—Rev. D, 13-Oct-03  
www.vishay.com  
1
 
1234

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SI7456DP-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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