5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI7456DP-T1-E3
SI7456DP-T1-E3 PDF预览

SI7456DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
7页 145K
描述
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI7456DP-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.15其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.7 A最大漏极电流 (ID)：5.7 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1.9 W最大功率耗散 (Abs)：1.9 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：140 ns最大开启时间（吨）：60 ns

SI7456DP-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI7456DP-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
Si7456DP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
9.3  
Available  
TrenchFET® Power MOSFETs  
New Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Low 1.07 mm Profile  
0.025 at VGS = 10 V  
0.028 at VGS = 6.0 V  
•
•
100  
8.8  
•
•
PWM Optimized for Fast Switching  
100 % Rg Tested  
PowerPAK SO-8  
APPLICATIONS  
•
•
•
Primary Side Switch for High Density DC/DC  
Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC  
Industrial and 42 V Automotive  
D
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
7
D
6
G
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7456DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si7456DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
100  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
9.3  
6.7  
5.7  
4.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)a  
ID  
A
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
40  
30  
45  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
Single Avalanche Energy (Duty Cycle ≤ 1 %)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
mJ  
A
4.3  
5.2  
2.7  
1.6  
1.9  
1.0  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)b,c  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
19  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
24  
65  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Case  
RthJA  
52  
°C/W  
RthJC  
1.5  
1.8  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 71603  
S09-0271-Rev. F, 16-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567

中文翻译

下载PDF

SI7456DP-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI7456DP VISHAY

功能相似

 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7456DP-T1 VISHAY

功能相似

 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

与SI7456DP-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7457DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC
SI7457DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7458DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7459DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7459DP-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		P-CH 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI7460DP VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP_09 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7460DP-T1- VISHAY

获取价格

 		暂无描述
SI7460DP-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

与SI7456DP-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证