是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.81 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13 A |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0068 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 5.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7459DP-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
P-CH 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI7149ADP-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7459DP-T1-GE3 | VISHAY |
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P-CH 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel | |
SI7460DP | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7460DP_09 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7460DP-T1 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7460DP-T1- | VISHAY |
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暂无描述 | |
SI7460DP-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7460DP-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7461DP | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7461DP_05 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7461DP-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |