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SI7462DP-T1-GE3

更新时间： 2024-01-24 05:51:01
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 154K
描述
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R

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SI7462DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.9
雪崩能效等级（Eas）：1.8 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.13 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：4.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7462DP-T1-GE3 数据手册

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Si7462DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFETs  
• New low thermal resistance PowerPAK®  
package with low 1.07 mm profile  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
D
7
8
D
6
D
5
• PWM optimized for fast switching  
Available  
1
S
APPLICATIONS  
2
3
S
S
• Primary side switch  
4
G
1
Top View  
Bottom View  
D
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
200  
0.130  
0.142  
20  
G
RDS(on) max. () at VGS = 10 V  
RDS(on) max. () at VGS = 6 V  
Qg typ. (nC)  
S
ID (A)  
4.1  
N-Channel MOSFET  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Si7462DP-T1-E3  
Si7462DP-T1-GE3  
Lead (Pb)-free  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
10 s  
200  
20  
4.1  
3
STEADY STATE  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
200  
20  
2.6  
1.9  
12  
6
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
Continuous drain current (TJ = 150 °C) a  
ID  
A
Pulsed drain current  
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
12  
6
Avalanche current  
L = 0.1 mH  
Single avalanche energy (duty cycle 1 %)  
Continuous source current (diode conduction) a  
1.8  
4
1.8  
1.6  
1.9  
1
mJ  
A
TA = 25 °C  
TA = 85 °C  
4.8  
2.6  
Maximum power dissipation a  
PD  
W
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) b, c  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
Steady state  
Steady state  
21  
55  
26  
65  
Maximum junction-to-ambient a  
Maximum junction-to-case (drain)  
°C/W  
RthJC  
1.7  
2.1  
Notes  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
b. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
c. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
S09-0227-Rev. C, 09-Feb-09  
Document Number: 72136  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
123456

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