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SI7470DP-T1-E3 PDF预览

SI7470DP-T1-E3

更新时间： 2024-11-02 21:16:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 8V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8

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SI7470DP-T1-E3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.0021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-C5
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI7470DP-T1-E3 数据手册

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Si7470DP  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)a  
40  
Qg (Typ)  
D 1.5–V Rated  
0.0021 at V = 4.5 V  
GS  
RoHS  
D Low Thermal Resistance PowerPAK Package  
COMPLIANT  
0.0024 at V = 2.5 V  
GS  
40  
with 1.07–mm Profile  
8
61 nC  
0.0028 at V = 1.8 V  
40  
GS  
APPLICATIONS  
D Low Output Voltage Load Switch  
– POL  
0.0034 at V = 1.5 V  
40  
GS  
PowerPAK SO-8  
– LDO  
– Output Switch  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
D
1
S
2
S
3
G
4
D
8
D
7
G
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7470DP–T1–E3 (Lead (Pb)-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 _C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
8
DS  
GS  
V
V
"5  
40  
32  
b, c  
31  
b, c  
25  
T
T
= 25 _C  
= 70 _C  
= 25 _C  
= 70 _C  
C
C
Continuous Drain Current (T = 150 _C)  
I
J
D
T
A
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
70  
40  
b, c  
4.9  
DM  
T
C
= 25 _C  
= 25 _C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
I
S
T
A
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
I
AS  
20  
20  
83  
53  
b, c  
5.4  
b, c  
3.4  
L = 0.1 mH  
E
mJ  
W
AS  
T
T
= 25 _C  
= 70 _C  
= 25 _C  
= 70 _C  
C
C
Maximum Power Dissipation  
P
D
T
A
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
260  
stg  
_C  
d, e  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
b, f  
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
18  
23  
t p 10 sec  
_C/W  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
Notes:  
Steady State  
R
thJC  
1.0  
1.5  
a. Based on T = 25 _C.  
C
b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
c. t = 10 sec.  
d. See Solder Profile (http://www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not required to ensure  
adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f.  
Maximum under steady state conditions is 65 _C/W.  
Document Number: 73556  
S–52608—Rev. A, 02-Jan-06  
www.vishay.com  
1
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