是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.76 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 61 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 5.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7478DP-T1-GE3 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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SI7483ADP | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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SI7483ADP-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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SI7483DP | VISHAY |
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P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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SI7483DP-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 14 A, 30 V, 0.005 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Genera |
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SI7485DP | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI7485DP-T1 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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SI7485DP-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET P-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7485DP-T1-GE3 | VISHAY |
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Trans MOSFET P-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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SI7487DP-T1 | VISHAY |
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TRANSISTOR 18 A, 20 V, 0.0035 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener |
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