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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0068 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-C5 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 5.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI7459DP-T1-E3 | VISHAY |
功能相似  |
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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| SI7149ADP-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI7460DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7460DP_09 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7460DP-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7460DP-T1- | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SI7460DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7460DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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| SI7461DP | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7461DP_05 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI7461DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI7462DP | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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