是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 0.8 |
雪崩能效等级(Eas): | 100 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 28 A | 最大漏极电流 (ID): | 10.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI7469DP-T1-E3 | VISHAY |
类似代替 |
P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7470DP-T1-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 8V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
SI7476DP | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7476DP-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET | |
SI7476DP-T1-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SI7478DP | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7478DP_09 | VISHAY |
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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7478DP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7478DP-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | |
SI7483ADP | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI7483ADP-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |