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SI7464DP-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 369K
描述
N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel

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SI7464DP-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.19
雪崩能效等级（Eas）：0.45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：1.8 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F5
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：50 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

SI7464DP-T1-GE3 数据手册

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Si7464DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 200 V (D-S) Fast Switching MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFETs  
• New low thermal resistance PowerPAK®  
package with low 1.07 mm profile  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
D
7
8
D
6
D
5
• PWM optimized for fast switching  
• Material categorization:  
Available  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
S
2
3
S
4
G
S
1
APPLICATIONS  
D
• Primary side switch  
Top View  
Bottom View  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
RDS(on) max. () at VGS = 10 V  
RDS(on) max. () at VGS = 6 V  
Qg typ. (nC)  
G
200  
0.24  
0.26  
12  
S
N-Channel MOSFET  
ID (A)  
2.8  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
Lead (Pb)-free  
PowerPAK SO-8  
Si7464DP-T1-E3  
Si7464DP-T1-GE3  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
SYMBOL  
10 s  
200  
20  
STEADY STATE  
UNIT  
VDS  
VGS  
200  
20  
V
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.8  
2.2  
3.5  
8
1.8  
1.5  
1.5  
8
Continuous drain current (TJ = 150 °C) a  
ID  
Continuous source current  
Pulsed drain current  
Avalanche current b  
Single avalanche energy b  
IS  
A
IDM  
IAS  
EAS  
3
3
0.45  
4.2  
2.6  
0.45  
1.8  
1.1  
mJ  
W
TA = 25 °C  
Maximum power dissipation a  
PD  
T
A = 70 °C  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) c, d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t 10 s  
Steady state  
Steady state  
25  
60  
2.9  
30  
70  
3.5  
Maximum junction-to-ambient a  
Maximum junction-to-case (drain)  
°C/W  
RthJC  
Notes  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
b. Guaranteed by design, not subject to production testing  
c. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
d. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
S09-0227-Rev. C, 09-Feb-09  
Document Number: 72052  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...12

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