是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.08 | Samacsys Confidence: | 4 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 242478 |
Samacsys Pin Count: | 8 | Samacsys Part Category: | MOSFET (P-Channel) |
Samacsys Package Category: | Other | Samacsys Footprint Name: | PowerPAK? SO-8 Single_1 |
Samacsys Released Date: | 2019-04-02 15:38:04 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0092 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 5.4 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI7463DP-T1-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 11 A, 40 V, 0.0092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM |
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SI7464DP | VISHAY |
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N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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SI7464DP_06 | VISHAY |
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N-Channel 6-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
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SI7464DP-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 1.8 A, 200 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gener |
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SI7464DP-T1-GE3 | VISHAY |
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N-CH 200-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel |
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SI7465DP | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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SI7465DP_13 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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SI7465DP-T1-E3 | VISHAY |
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Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
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Si7469ADP | VISHAY |
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P-Channel 80 V (D-S) MOSFET |
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SI7469DP | VISHAY |
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P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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