SI7458DP

更新时间： 2024-02-26 01:33:36

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET

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SI7458DP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI7458DP 数据手册

Si7458DP

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET

D New Low Thermal Resistance PowerPAKt

Package with Low 1.07-mm Profile

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0045 @ V = 4.5 V

APPLICATIONS

0.0075 @ V = 2.5 V

D Synchronous Rectifier–Low Output Voltage

D Portable Computer Battery Selection or

Protection

PowerPakt SO-8

6.15 mm

5.15 mm

N-Channel MOSFET

Bottom View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

13.4

10.7

Continuous Drain Current (T = 150__C)

17.6

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

4.3

5.2

3.3

1.6

1.9

1.2

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJC

_C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

1.0

1.5

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71821

S-20012—Rev. A, 04-Mar-02

www.vishay.com

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