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SI7456CDP-T1-GE3 PDF预览

SI7456CDP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 131K
描述
TRANSISTOR 10.3 A, 100 V, 0.0235 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, POWERPAK, SOP-8, FET General Purpose Power

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SI7456CDP-T1-GE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.62Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：11.2 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27.5 A最大漏极电流 (ID)：10.3 A
最大漏源导通电阻：0.0235 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-C5湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35.7 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI7456CDP-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si7456CDP  
Vishay Siliconix  
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
27.5  
27  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
0.0235 at VGS = 10 V  
0.0245 at VGS = 7.5 V  
0.0315 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
100  
7.7 nC  
24  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
PowerPAK® SO-8  
APPLICATIONS  
•
•
•
DC/DC Primary Side Switch  
Telecom/Server 48 V, Full/Half-Bridge dc-to-dc  
Industrial  
S
6.15 mm  
5.15 mm  
1
S
D
2
S
3
G
4
D
8
D
7
G
D
6
D
5
Bottom View  
Ordering Information: Si7456CDP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Limit  
100  
20  
Unit  
V
VGS  
TC = 25 °C  
27.5  
22  
10.3b, c  
8.2b, c  
50  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
25  
4.5b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
15  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
mJ  
W
11.2  
35.7  
22.8  
5.0b, c  
3.2b, c  
TC = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, f  
Maximum Junction-to-Case (Drain)  
RthJA  
t ≤ 10 s  
20  
25  
°C/W  
Steady State  
RthJC  
2.9  
3.5  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W.  
Document Number: 65941  
S10-0785-Rev. A, 05-Apr-10  
www.vishay.com  
1
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与SI7456CDP-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI7456DDP VISHAY

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 		N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 27.8A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
SI7456DP VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7456DP_06 VISHAY

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 		N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI7456DP-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.7 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gene
SI7456DP-T1 VISHAY

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