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SI7455DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-02 20:04:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	99K
描述
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

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SI7455DP-T1-GE3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	101 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	28 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-C5
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE MATTE TIN	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI7455DP-T1-GE3 数据手册

Si7455DP

Vishay Siliconix

P-Channel 80-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

V_DS(V)

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ.)

_D(A)^a

- 28

Available

0.025 at V_GS= - 10 V

0.029 at V_GS= - 6 V

•

TrenchFET^®Power MOSFET

- 80

65 nC

- 28

PowerPAK SO-8

6.15 mm

5.15 mm

P-Channel MOSFET

Bottom View

Ordering Information: Si7455DP-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

Si7455DP-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Limit

- 80

Unit

V_DS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

- 28^a

T_C= 25 °C

_C= 70 °C

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

- 10.5^{b, c}

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

- 8.4^{b, c}

- 60

- 28^a

- 4.3^{b, c}

- 45

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Avalanche Current

L = 0.1 mH

E_AS

Single-Pulse Avalanche Energy

101

83.3

53.3

5.2^{b, c}

3.3^{b, c}

T_C= 25 °C

T_C= 70 °C

T_A= 25 °C

T_A= 70 °C

P_D

Maximum Power Dissipation

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^{d, e}

- 55 to 150

°C

260

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, f}

Maximum Junction-to-Case (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

°C/W

R_thJC

1.2

1.5

Notes:

a. Package Limited.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 10 s.

d. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper

(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not

required to ensure adequate bottom side solder interconnection.

e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.

f. Maximum under Steady State conditions is 65 °C/W.

Document Number: 73430

S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09

www.vishay.com

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SI7456CDP_17	VISHAY	获取价格	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SI7456CDP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 10.3 A, 100 V, 0.0235 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS
SI7456DDP	VISHAY	获取价格	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
SI7456DDP-T1-GE3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27.8A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
SI7456DP	VISHAY	获取价格	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
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SI7456DP-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.7 A, 100 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWERPAK, SO-8, FET Gene
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