SI4884

更新时间： 2024-11-15 22:43:15

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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12页	90K
描述
TrenchMOS⑩ logic level FET

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SI4884 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4884 数据手册

SI4884

TrenchMOS™ logic level FET

M3D315

Rev. 02 — 12 April 2002

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

Product availability:

SI4884 in SOT96-1 (SO8).

1.2 Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching.

1.3 Applications

■ DC to DC converters

■ Portable equipment applications.

1.4 Quick reference data

■ V_DS= 30 V

■ P_tot= 2.5 W

■ I_D= 12 A

■ R_DSon= 16.5 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

12 3 4 5 6 7...12

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