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Datasheet > SI4884BDY-T1-GE3
SI4884BDY-T1-GE3 PDF预览

SI4884BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-18 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 192K
描述
TRANSISTOR 12400 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4884BDY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：16.5 A
最大漏极电流 (ID)：12.4 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：4.45 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4884BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4884BDY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
16.5  
Available  
TrenchFET® Power MOSFETs  
PWM Optimized  
0.0090 at VGS = 10 V  
0.012 at VGS = 4.5 V  
•
•
30  
10.5 nC  
13.2  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4884BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4884BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Limit  
30  
20  
Parameter  
Symbol  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
16.5  
13.2  
12.4b, c  
10.0b, c  
50  
ID  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
4.0  
2.3b, c  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
IAS  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
15  
L = 0.1 mH  
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
EAS  
mJ  
W
11  
T
4.45  
2.85  
2.50b, c  
1.6b, c  
PD  
Maximum Power Dissipation  
T
TJ, Tstg  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Typical  
40  
Maximum  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Unit  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
t ≤ 10 s  
Steady State  
50  
28  
°C/W  
22  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 73454  
S09-0228-Rev. C, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
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SI4884BDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4884BDY-T1-E3 VISHAY

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