SI4882DY

更新时间： 2024-09-28 22:43:15

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威世 - VISHAY		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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4页	59K
描述
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

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SI4882DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.86	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4882DY 数据手册

Si4882DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel Reduced Q_g, Fast Switching MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.0105 @ V = 10 V

"11

0.0205 @ V = 4.5 V

D D

SO-8

N-Channel MOSFET

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"25

"11

= 25_C

a, b

Continuous Drain Current (T = 150_C)

T = 70 _C

Pulsed Drain Current

"50

2.3

a, b

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.5

a, b

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)

thJA

thJF

C/W

Steady State

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board.

b. t v 10 sec.

Document Number: 70878

S-00271—Rev. A, 26-Apr-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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